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美國快閃記憶體大廠超捷（sst）與力晶半導體昨（一）日宣佈，將共同合作開發第三代超快閃（superflash）記憶體技術，雙方已經在力晶晶圓廠中以○．一一微米製程開發自行對準（self-aligned）第三代超快閃技術，未來將更進一步微製程至九○奈米至六五奈米。 超捷新一代超快閃技術主要用以生產nor規格高容量快閃記憶體，同時也適用傳統nand架構的資料儲存應用領域，雙方第一個開發產品為二gb快閃記憶體，腳位及電氣規格與業界標準的nand晶片相容，雙方已完成新一代超快閃記憶體存取單元結構及電性功能的驗證，預計明年內完成製程及產品開發，二○○五年進入量產。 根據雙方合作協議，雙方同意使用力晶十二吋晶圓廠，生產超捷品牌及力晶品牌的超快閃資料儲存產品，力晶將會根據力晶品牌超快閃資料儲存產品的銷售額，支付超捷權利金。 超捷總裁暨執行長葉炳輝表示，新一世代的超快閃技術是以nor架構取代目前產業界中nand架構快閃記憶體，超捷經由與力晶半導體的合作，將可延伸超快閃技術至奈米層次。他指出，預估以資料儲存為主的快閃記憶體將超越dram成為最大的記憶體市場，藉由與力晶的聯盟和擴展超捷的第三代超快閃記憶體技術，超捷將成為高容量快閃記憶體供應商。 力晶董事長黃崇仁表示，力晶非常關注快閃記憶體生產技術與相關市場，此次與超捷合作，整合力晶的十二吋廠量產優勢與超捷的快閃記憶體技術，可說是雙贏策略，同時也可幫助力晶進入高階的快閃記憶體市場。 |